تخطي إلى التنقل الرئيسي تخطي إلى البحث تخطي إلى المحتوى الرئيسي

Structural and electrical characterization of SiGe heterostructures containing a pure Ge strained quantum well

  • A. H.A. Hassan
  • , O. A. Mironov
  • , A. Dobbie
  • , J. H. Morris
  • , J. E. Halpin
  • , V. A. Shah
  • , M. Myronov
  • , D. R. Leadley
  • , S. Gabani
  • , A. Feher
  • , E. Cizmar
  • , V. V. Andrievskii
  • , I. B. Berkutov

نتاج البحث: Conference contribution

3 اقتباسات (Scopus)

ملخص

In this paper we present structural characterization and magneto-transport properties of the two dimensional hole gas in strained germanium heterostructures. An extremely high hole mobility has observed, along with the lowest value of effective mass to date, using Schubnikov de Haas oscillations for both normal and inverted structures. The channel is confirmed to be pure germanium, with low background impurity scattering that improves the hole transport.

اللغة الأصليةEnglish
عنوان منشور المضيف2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 - Conference Proceedings
الصفحات51-55
عدد الصفحات5
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرPublished - 8 يوليو 2013
الحدث2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 - Kyiv, Ukraine
المدة: ١٦ أبريل ٢٠١٣١٩ أبريل ٢٠١٣

سلسلة المنشورات

الاسم2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 - Conference Proceedings

Conference

Conference2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013
الدولة/الإقليمUkraine
المدينةKyiv
المدة١٦/٠٤/١٣١٩/٠٤/١٣

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Structural and electrical characterization of SiGe heterostructures containing a pure Ge strained quantum well'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا